Онлайн
Ученые из Фуданского Университета в Китае установили новый мировой рекорд для полупроводниковых накопителей, разработав устройство флеш-памяти, способное сохранять данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд, сообщает ShanghaiEye.
Новое устройство, получившее название PoX, является энергонезависимым типом памяти, который значительно превосходит даже самые быстрые современные энергозависимые технологии, такие как SRAM и DRAM, которым требуется от 1 до 10 наносекунд для записи одного бита. Для сравнения, одна пикосекунда — это тысяча наносекунд или триллионная часть секунды, то есть новое устройство может быть быстрее в 2,5 раза самых быстрых энергозависимых аналогов и до 25 раз быстрее более медленных.
Как отметил ведущий исследователь Чжоу Пен, в этом проекте активно использовались алгоритмы искусственного интеллекта, которые помогли оптимизировать условия тестирования и значительно ускорить развитие технологии.
В настоящее время команда Фудана ищет пути превращения этого устройства в коммерческий продукт.
Результаты исследования были опубликованы в среду в журнале Nature.
